Представлен сравнительно простой метод получения графеновых пленок

Сотрудники Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли (США) продемонстрировали возможность создания пленок однослойного графена на различных диэлектрических подложках методом химического осаждения из паровой фазы (chemical vapor deposition, CVD).

Существующие способы получения однослойного графена непригодны для промышленного применения либо не позволяют формировать пленки стабильно высокого качества. Авторы попытались решить эту проблему, обратившись к популярной и давно используемой в полупроводниковой промышленности методике.

Подложками в проведенных опытах служили монокристаллы кварца, сапфир, кварцевое стекло и диоксид кремния. Сначала на них методом электронно-лучевого испарения наносился слой катализатора (меди) толщиной 100–450 нм. Затем при температуре в 1 000 ˚C начинался процесс CVD в присутствии смеси H2 и СН4, продолжавшийся от 15 минут до семи часов.